Науковці з Фуданського Університету в Китаї створили новий рекордний напівпровідниковий накопичувач – флеш-пам’ять з назвою PoX. Цей пристрій може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд, що набагато швидше, ніж сучасні енергозалежні технології. Пристрій є енергонезалежним і перевершує швидкість навіть найшвидших аналогів, таких як SRAM і DRAM. Дослідники використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Команда планує перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
